進入High-NA EUV微影時代

記憶體。（路透）

【作者： imec】

在迎來高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影時代之際，比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計劃的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性。

由ASML與imec聯手在荷蘭費爾德霍溫建立的微影實驗室正式啓用，爲推動High-NA EUV技術邁向量產立下了里程碑。記憶體和邏輯晶片的頂尖製造商現在可以使用首款0.55NA高數值孔徑（high-NA）EUV曝光原型機TWINSCAN EXE:5000及周邊基礎設施，包含塗布及顯影機、量測工具、晶圓及光罩處理系統。在IDM及晶圓代工廠的晶圓廠房開始運作這些微影機臺之前，imec與ASML將協助他們降低這項圖形化技術的開發風險，並支援他們開發專有的High-NA EUV應用案例。

實驗室未來也會開放給更廣泛的供應商生態系統來使用。實驗室的顯影設施將能讓他們在High-NA EUV專用材料與設備的工程設計領域成爲先鋒。實驗室的第三類使用者則是imec及其先進圖形化研究計劃的幾位夥伴，該計劃推動圖形化生態系統朝向High-NA EUV的未來技術世代發展。

比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計劃的資深副總裁（SVP）Steven Scheer表示，這間位於荷蘭費爾德霍溫的High-NA EUV微影聯合實驗室的成立目標是加速High-NA EUV技術量產並提升其成本效益。ASML與蔡司（ZEISS）在短時間內已經成功開發high-NA EUV曝光機的專用解決方案，這些方案與曝光源、光學元件、鏡頭變形、光罩場域拼接、縮短焦點深度（DOF）、邊界放置誤差及疊對準確性有關。

同時，imec攜手ASML及我們的廣泛供應商網絡密切合作，共同籌備0.55NA圖形化生態系統—如同imec在2024年國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）所公佈的消息。確保了用於第一代High-NA EUV的先進光阻劑、塗布底層材料、光罩、量測技術、（變形）成像策略、光學鄰近修正（OPC）與整合圖形化及蝕刻技術都能如期供應。

這些籌備工作在近期促成了首批晶圓的曝光，寬度爲10奈米和16奈米的導線／間隔（space）—即間距（pitch）爲20奈米和32奈米，分別能在金屬氧化物阻劑（MOR）與化學放大阻劑（CAR）曝光後印刷出圖形。目前曝光原型機與基礎建設已經就緒，預計在2025-2026年將會導入量產。

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