三星今年資本支出位居第一　海放英特爾、臺積電

▲半導體大廠展開激烈的資本支出競賽。（圖／達志影像）

記者周康玉／臺北報導

全球半導體大廠展開激烈的資本支出競賽中。IC Insights最新預測，三星支出今年資本支出爲226億美元，不僅海放第二名英特爾，還是臺積電的2倍。

企業的資本支出越高，代表對來年的景氣和產業前景的看好。

根據IC Insights對全球半導體廠資本支出預測，三星這兩年（2017、2018）資本支出爲468億美元，幾乎與英特爾和臺積電共同設定的484億美元的兩年資本支出一致，帶給英特爾臺積電等競爭者極大壓力。

報告預估，儘管三星今（2018）年的資本支出較去年的242億美元略爲下滑7%、爲226億美元，但仍將蟬聯半導體業資本支出冠軍，且兩年總額達到468億美元的驚人水準。

▼全球半導體大資本支出排名。（資料來源：IC Insight）

根據下圖顯示，三星自2010年開始，半導體資本支出正式突破100億美元。值得注意的是2017年的資本支出成長比前一年（2016年）增加了一倍以上。

報告指出，三星近兩年來的強勁資本支出恐帶來負面影響，其中一個就是已經發生的記憶體產能過剩問題。IC Insights認爲，三星對3D NAND閃存的鉅額支出，加上競爭者海力士、美光、東芝、英特爾等競相追趕，造成今年第三季以來的產能過剩現象。

此外，位居第三名的SK-海力士今年亦增加資本支出，今年初，SK-海力士就宣佈資本支出要增加至少30％。SK-海力士增加資本支出的原因，是因韓國清州3D NAND閃存晶圓廠，及中國無錫的大型DRAM工廠的擴建。

總體而言，該報告預測今年半導體行業的資本支出總額將增長15％至1071億美元，創歷史新高，然而明年將會下滑12％。