臺積電發表A16技術 比N2P製程快且省電

臺積電25日在北美技術論壇發表A16技術，同電壓下比N2P製程速度更快。（圖／報系資料照）

臺積電在25日舉辦2024年北美技術論壇，會中揭露最新A16技術、先進封裝技術、以及三維積體電路（3D IC）技術，將透過新技術驅動新世代AI創新，其中A16技術在同電壓下速度更快，即使在同速度下功耗更能降低15至20％。

臺積電首度發表 A16技術，結合領先的奈米片電晶體及創新的背面電軌（backside power rail）解決方案以大幅提升邏輯密度及效能，預計於2026年量產；同時也推出系統級晶圓技術，此創新解決方案帶來革命性的晶圓級效能優勢，滿足超大規模資料中心未來對AI的要求。

適逢臺積電北美技術論壇舉辦30週年， 出席貴賓人數從30年前不到100位，增加到今年已超過2,000位。北美技術論壇於美國加州聖塔克拉拉市舉行，爲接下來幾個月陸續登場的全球技術論壇揭開序幕，也設置創新專區，展示新興客戶的技術成果。

臺積電總裁魏哲家表示，身處AI賦能的世界，人工智慧功能不僅建置於資料中心，而且也內建於個人電腦、行動裝置、汽車、甚至物聯網之中；臺積電爲客戶提供最完備的技術，從全世界最先進的矽晶片，到最廣泛的先進封裝組合與3D IC平臺，再到串連數位世界與現實世界的特殊製程技術，實現客戶對AI的願景。

臺積電的N3E技術已經量產，N2技術也預計在2025年量產，在技術論壇上又推出新技術A16，結合超級電軌架構以及奈米片電晶體，預計在2026年量產，其中超級電軌技術，主要將供電網路移到晶圓背面而在晶圓正面釋出更多訊號網路的佈局空間，藉以提升邏輯密度和效能，讓A16適用於具有複雜訊號佈線及密集供電網路的高效能運算（HPC）產品。

臺積電指出，相較於N2P製程，A16在同工作電壓下速度增加8至10％，在同速度下，功耗降低15至20％，晶片密度提升達1.1倍，可有效支援資料中心的需求。