消息稱HBM4標準放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術
《科創板日報》11日訊,據科技媒體ZDNET Korea報道,業界消息稱,國際半導體標準組織(JEDEC)的主要參與者最近同意將HBM4產品的標準定爲775微米(μm),比上一代的720微米更厚。據悉,該協議預計將對三星電子、SK海力士、美光等主要內存製造商的未來封裝投資趨勢產生重大影響。如果封裝厚度爲775微米,使用現有的鍵合技術就可以充分實現16層DRAM堆疊HBM4。考慮到混合鍵合的投資成本巨大,存儲器公司很可能將重點放在升級現有鍵合技術上。
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