英特爾CEO基辛格談美出口制裁 陸晶片技術落後十年

英特爾執行長基辛格。 路透

英特爾執行長基辛格在世界經濟論壇（WEF）致詞表示，美國的出口制裁在日本與荷蘭配合下，將暫時把中國大陸半導體制程發展限制在7奈米以下，使陸廠技術比業界落後十年，且未來十年仍將維持這個差距。

基辛格說，美日荷的政策，將把大陸半導體產業製程侷限於10奈米至7奈米。中芯（SMIC）目前具備7奈米技術，約比臺積電（2330）、三星落後五年半；上海華力微電子（HLMC）2020年開始測試14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程，落後臺積電九到十年。

臺積電、三星和英特爾則準備在未來數年啓用最先進的3奈米、2奈米甚至更精密的製程。傳聞臺積電2奈米晶片將進駐訂於2025年推出的iPhone 17。基辛格說，英特爾正積極開發2奈米以下技術，並放眼1.5奈米。

中芯和華力都使用荷蘭、日本、南韓、臺灣和美國供應的製造設備與材料，礙於供應受阻，陸廠不得不自行研發晶圓廠設備，並設法處理淨化氣體、阻劑，以及製造先進晶片所需的其他化學物。陸廠若無法取得先進晶片設備與技術，可能訴諸逆向工程與重製，以縮小落後全球半導體產業的差距。

基辛格估計，大陸半導體產業比全球標準落後約十年，預料在現行出口政策下，未來十年仍會維持這個差距。他也提到全球供應鏈的脆弱，並說明美國正設法藉「晶片法」提升美國技術自給自足，扭轉數十年來晶片製造集中亞洲國家的趨勢。