中微半導體申請等離子體處理裝置專利，降低移動環表面聚合物的沉積

金融界2024年12月25日消息，國家知識產權局信息顯示，中微半導體設備（上海）股份有限公司申請一項名爲“等離子體處理裝置”的專利，公開號 CN 119170474 A，申請日期爲2024年11月。

專利摘要顯示，一種等離子體處理裝置，包括：反應腔；氣體噴淋頭，設於所述反應腔的頂部；下電極組件，設於所述反應腔內的底部，所述下電極組件與所述氣體噴淋頭相對設置；導電的移動環，設於所述氣體噴淋頭的外圍，可上下移動；接地的等離子體約束環，設於所述下電極組件的外圍導電墊片設於所述等離子體約束環與移動環之間，當所述移動環向下移動至工藝位置時，所述移動環通過所述導電墊片與等離子體約束環電連接接地。所述等離子體處理裝置，有利於降低移動環表面聚合物的沉積。

本文源自：金融界

作者：情報員