最新技術競賽超車臺積電？ 三星宣佈3奈米GAA技術成功流片
南韓科技大廠三星電子打算在2030年成爲全球系統半導體龍頭，並採用極紫外光（EUV）微影技術，打算在10年內超越同爲晶圓代工領域的競爭對手臺積電， 3奈米制程就採用環繞閘極技術（Gate-All-AroundGAA），並在今年3月於IEEE 國際積體電路會議公佈3奈米制程GAA技術細節。最新消息指出，三星的3奈米制程已經成功流片。
GAA技術擁有更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求，並有2種架構，一種是採用奈米線做爲電晶體鰭片的GAAFET，另外一種則是採用CMOS、以奈米片形式的較厚鰭片的多橋通道場效應電子電晶體 MBCFET，一般大多是以GAAFET來描述，以及2款基於奈米片設計的3GAAE和3GAAP。
GAAFET早在1988年就問世，該種設計更有效擴張接觸面積，理論上讓性能與功耗大幅改善，但在當時電晶體通道只能加寬1或2倍，精度難以控制，甚至使得效率變差，導致同爲多重閘道 3D 電晶體的鰭式場效電晶體(FinFET)，更早一步被業界踏入先進製程領域廣爲使用。
三星當時表示，與該公司的7奈米LPP製程相比，3GAAE製程可以在同樣功耗下提高性能30%，或是在同樣頻率下降低功耗50%，電晶體密度提升80%。三星預計MBCFET將在2022年投產。
臺積電則是在日前的技術論壇強調，3奈米制程發展順利，將照時程於 2022 下半年量產。
據《新浪財經》報導，三星3奈米正式流片 (Tape Out)，主要是與新思科技 (Synopsys) 合作，加速爲 GAA技術提供最佳化解決方案，因爲三星3奈米與臺積電、英特爾目前採用的FinFET架構不同，需要新設計與認證工具，所以採用Fusion Design Platform，該製程設計套件（PDK） 於 2019 年 5 月發佈，並在2020 年通過製程技術認證。
預料三星3奈米制程GAA技術將運用在高效能運算 (HPC)、5G、通訊、AI等應用領域上。
三星代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim指出，三星代工是推動下一階段行業創新的核心，三星不斷髮展新的技術製程，滿足專業和廣泛市場應用不斷增長的需求，並受惠於與新思科技合作，Fusion Design Platform 加速準備以有效實現 3奈米制程技術承諾，證明關鍵聯盟的優勢。
至於臺積電，GAA技術將進展到2奈米制程CMOS開始導入，目前正以3奈米制程維持FinFET架構，將重點放在 2 奈米以外節點，以及3D電晶體、新記憶體以及low-R interconnect 等領域，爲各項技術平臺創造發展基礎，並且加強Fab 12 的研發N3、N2甚至更高階的先進製程節點。