安徽格恩半導體申請種半導體激光元件專利，提升激光相干性

金融界2024年12月25日消息，國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名爲“種半導體激光元件”的專利，公開號CN 119171183 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種半導體激光元件，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，所述上波導層與上限制層之間具有手性連續域束縛態層；所述手性連續域束縛態層的菲利浦電離度分佈具有函數y＝ax3+bx2+cx+d(a＞0,△＝4(b2‑3ac)＜0)曲線分佈；所述上波導層的菲利浦電離度≥手性連續域束縛態層的菲利浦電離度≥上限制層的菲利浦電離度；所述手性連續域束縛態層的導帶有效態密度分佈具有函數y＝A+B*x/lnx第四象限曲線分佈。本發明利用面外鏡面對稱與面內鏡面非對稱形成三維手性結構，增強激光與特定自旋方向圓偏振光的手性相互作用，並增強電子與光子雙重三維強限制，實現近場耦合的光束偏折和聚焦，提升激光相干性、遠場FFP質量和光束質量因子。

本文源自：金融界

作者：情報員