長江存儲量產64層3D快閃記憶體 大陸紫光加速記憶體佈局

紫光集團重慶設廠計劃將在2019年底開工建設,預計2021年落成投產。(圖/翻攝紫光集團官網

實習記者施怡妏/綜合報導

大陸紫光集團旗下長江存儲官方日前宣佈,公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,用來滿足固態硬盤嵌入式存儲等市場的應用需求。原本預計將在今年年底正式量產的64層3D快閃記憶體,現在卻提前發佈消息,似乎比預期進度進展的更順利。

根據外媒報導,早在今年8月底,2019中國國際智能產業博覽會上,紫光集團已經公開展示長江存儲的64層NAND Flash 晶圓,以及第二代64層256Gb 3D NAND,構想都來自於長江存儲自研的Xtacking架構設計。長江存儲表示,Xtacking產品擁有最高的存儲密度,每片晶圓可以切割出超過1000顆裸芯片

在去年,美國舉辦的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上,Xtacking的公佈獲得了大關注。長江存儲執行長楊士寧據稱,此款晶片堪比DRAM DDR4的I/O速度,同時帶來業界領先位元密度,象徵着NAND市場的巨大飛躍。」長江存儲在美國被媒體譽爲「中國之光」,Xtacking首度亮相,即獲得國際上的關注,與英特爾 (Intel)、美光(Micron)、三星 (Samsung)以及東芝(Toshiba)、西數(WD)等大型半導體公司差距僅一步之遙。

▲長江存儲64層3D NAND快閃記憶體晶圓。(圖/翻攝自長江存儲官網)

長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示,「通過將Xtacking引入批量生產,能夠提升產品性能,縮短開發週期和生產製造週期,從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。」

今年三星、東芝、美光等公司量產了96層的3D閃存,長江存儲將挑戰128層以追上與其他廠商的差距。程衛華指出,「到2020年將會推出128層堆棧的3D快閃記憶體,在技術上將更精進,甚至追上與國際龍頭廠商的差距。」

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大陸紫光集團DRAM生產計劃,一直以來備受業界的關注。8月底紫光集團宣佈,與重慶市人民政府簽署了「紫光存儲晶片產業基地專案合作協議」,正式在重慶建立DRAM工廠與研發中心。紫光集團將在重慶兩江新區設立「紫光國芯積體電路股份有限公司」以及「重慶紫光積體電路產業基金」。

根據瞭解,從目前市場的角度觀察全球超過90%的DRAM市佔率主要以三星、SK海力士、美光三家廠商爲主,一旦DRAM產業在未來得到一定的具體效益,可能對全球DRAM市場產生影響,若技術成功之後大量生產,透過削價競爭模式,恐怕對原有的廠商帶來極大的威脅

▲長江存儲核心廠區近況。(圖/翻攝自長江存儲官網)