英特爾×聯電 開啓晶圓代工新競局

聯電(UMC)與英特爾(Intel)上週共同宣佈攜手開發12奈米制程。圖/本報資料照片

聯電(UMC)與英特爾(Intel)上週共同宣佈攜手開發12奈米制程一事,DIGITIMES研究中心分析師陳澤嘉觀察認爲,此次合作在製程開發、晶圓代工服務可共創雙贏;但短期對臺積電影響不大,而英特爾結盟高塔半導體(Tower Semiconductor)與聯電,也將開啓晶圓代工產業競合新局。

陳澤嘉指出,Pat Gelsinger在2021年重回英特爾擔任CEO後,積極推動IDM 2.0戰略,其中,重返晶圓代工市場以推動Intel Foundry Service(IFS)爲其轉型發展的重要策略。不過,英特爾推進IFS服務主要聚焦7奈米以下先進製程,在成熟製程部分,僅有Intel 16。

陳澤嘉觀察,對於晶圓代工服務經驗相對缺乏的英特爾,此次攜手聯電佈局12奈米制程開發,並以英特爾美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication既有廠房與設備,可大幅降低投資成本,對英特爾而言,是既有設備的再活化,而聯電晶圓代工服務經驗也有助英特爾學習。

聯電提供5微米至14奈米制程,是全球前五大晶圓代工業者,豐富的晶圓代工服務經驗與客戶提供製程設計套件(Process Design Kit;PDK)及設計支援,皆是英特爾IFS業務所需;另聯電雖已完成14奈米制程開發,然貢獻其營收有限,此次雙方合作推進製程研發,有助強化聯電在FinFET技術開發掌握度,有利聯電提供客戶更具功耗、效能與面積(PPA)的解決方案。

陳澤嘉認爲,由於英特爾將資源集中於10奈米以下先進製程,聯電則可在14奈米以上提供互補的解決方案,爲雙方深化合作建立基礎。

英特爾目標2030年成爲全球第二大晶圓代工廠,取代目前三星電子的產業地位,因此,英特爾陸續推進與高塔半導體、聯電合作將是重要發展策略。英特爾結盟高塔半導體與聯電,也將開啓晶圓代工產業競合新局。

陳澤嘉剖析,此合作案短期對臺積電影響有限;三星電子長年與聯電保持緊密合作關係,此次英特爾與聯電加強結盟,也將牽動聯電在三星電子與英特爾之間的資源配比。